三星DRAM市占39%,美光逼近SK海力士

Counterpoint Research 发布的最新统计显示,2026 年第二季度全球 DRAM 内存市场仍由三星电子、SK 海力士与美光主导,但头部厂商之间的差距正在发生变化。三星电子当季 DRAM 营收份额升至 39%,较第一季度提高 1 个百分点,继续稳居第一。

SK 海力士以 26% 位列第二,美光以 25% 紧随其后。两者之间只有 1 个百分点,美光正在逼近 SK 海力士。报告显示,美光第二季度 DRAM 营收达到一年前的约 5 倍,是传统三强中增速最突出的厂商。若这一趋势延续,第二、第三名之间的排名并非没有变数。

SK 海力士:营收大涨,份额回落

从绝对营收看,SK 海力士的表现并不弱。其 2026 年第二季度 DRAM 营收同比增长 214%,但市场份额较 2025 年第二季度的历史高点 39% 明显回落,降幅约三分之一。营收增长而份额下降,说明其他厂商的增长同样迅猛,甚至更快。

Counterpoint 将原因指向 HBM 相关产品平均售价下滑,以及较早以较低价格签署长期协议。长期协议在供应紧张阶段有助于锁定需求,但如果后续市场价格上行,早期低价合同会削弱厂商从涨价中获利的能力。对 DRAM 这种价格弹性较大的存储产品而言,合同价格与现货、合约市场走势之间的差异,会直接反映到营收份额上。

三星:传统 DRAM 与 HBM 同时发力

三星电子的份额扩张则来自两条线。一方面,传统 DRAM 市场需求保持强劲,服务器、PC 和移动端等常规产品仍贡献大量出货;另一方面,三星在 HBM 市场的份额继续扩大,使其在高附加值产品上的营收占比提升。

HBM 并非独立于 DRAM 之外的品类,而是通过堆叠 DRAM 裸片、配合先进封装形成的高带宽内存产品。它的单价与利润通常高于普通 DRAM,因此一旦出货规模提升,对厂商营收份额的拉动会更明显。三星同时受益于常规 DRAM 出货和 HBM 结构改善,这使其领先优势有所扩大。

二线厂商增速更快,长鑫存储受关注

传统三强之外,二线厂商的增长同样值得注意。Counterpoint 数据显示,长鑫存储和南亚科技 2026 年第二季度 DRAM 营收分别同比增长 716% 和 690%,增速明显高于头部厂商。这一方面与低基数有关,另一方面也反映出 AI 服务器、边缘计算和终端设备对存储需求的扩散,正在给更多厂商带来机会。

不过,高增速并不等于稳定的头部地位。长鑫存储能否进入全球 DRAM 前四,仍取决于后续几个季度的出货规模、产品组合、价格走势以及客户导入情况。报告释放的信号是:AI 需求正在改变 DRAM 市场的增长结构,二线厂商有机会在行业扩容中获得更大份额,但格局尚未固化。

从报告英文标题《AI Demand Reshapes DRAM Rankings in Q2 2026; Samsung Leads, Micron Narrows Gap, CXMT Soars》也能看出,AI 需求正在成为 DRAM 竞争格局的重要变量。三星扩大领先优势,美光缩小与 SK 海力士的差距,长鑫存储则以更高增速成为市场变量。

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