8月4日消息，据台媒《电子时报》今日报道，三星电子、SK海力士、美光三大存储原厂已提前完成2027年一般DRAM与HBM的产能分配谈判。市场普遍预期，DRAM产能恐已被预订殆尽，下半年新增供应余地极小。
报道称，经历2026年存储芯片严重短缺后，下游客户为保障供应立场明显转向激进。原本只在HBM领域出现的提前预定趋势，已快速扩展到整个存储芯片领域。无论是否签署长期协议，客户正积极接受原厂推行的预付定金策略，以锁定未来两年的产能份额。
《电子时报》引述业内人士估算，三大原厂明年的DRAM产能仅能满足下游客户六至七成左右的需求。供应缺口背后是AI及高性能计算需求的持续挤压，智能手机与PC厂商能拿到的内存配额大幅缩水，消费电子供应链面临不小的备货压力。
从趋势上看，HBM作为GPU训练与推理的核心配套，优先级最高；服务器DDR5等普通DRAM需求同样旺盛，进一步挤占了消费端的产能空间。此前未提前采取锁定动作的手机与PC OEM，接下来的议价处境已相当被动。
该报道还提及，NAND闪存供应情况相对宽松，但按照目前进度，预计本月内明年NAND的产能配额也将基本敲定，剩余弹性空间有限。下游SSD及手机厂商若不在窗口期内尽快完成谈判，明年闪存供应亦可能趋紧。
预付定金策略的广泛推行，表明存储原厂在本轮周期中牢牢掌握议价主动权。客户为保障基本份额，不得不接受更严格的付款条件，这种局面在过去几轮存储周期中并不常见，反映出当前供需失衡已相当显著。
