据台湾地区媒体《经济日报》9月14日报道，台积电计划大幅扩充其先进制程产能。具体而言，公司目标在2027年年中，将其2纳米及3纳米晶圆的月产能分别提升22%和16%。
报道披露了台积电最新的月产能目标路径：
- 2纳米（2nm）：计划从2026年底的9万片晶圆，增至2027年年中的11万片。
- 3纳米（3nm）：计划从2026年底的18万片晶圆，增至2027年年中的21万片。
此次产能扩充是台积电高额资本支出计划的一部分。公司此前表示，2026年资本支出预算将在600亿至640亿美元之间，其中约70%至80%将用于先进制程研发与产能建设。
在3纳米制程方面，扩产不仅限于台湾地区工厂。报道指出，台积电位于美国亚利桑那州的工厂计划在2027年下半年启动3纳米制程的生产，这被视为其全球产能布局的关键一步。此前有消息显示，台积电正将部分原用于4纳米的产能转换为3纳米，以应对市场需求。
在巩固当前先进制程产能的同时，台积电也在持续推进更下一代技术。公司正冲刺2纳米以下的制造工艺，路线图包括A16、A14、A13及A12等节点。此外，台积电近期与芯片制造设备商艾司摩尔（ASML）共同宣布合作，旨在推动高数值孔径极紫外线（High NA EUV）光罩技术的发展，为未来工艺突破铺路。
分析认为，本轮以2纳米和3纳米为主的产能扩张，直接反映了来自AI芯片领域，特别是像英伟达、苹果等大客户持续且旺盛的需求。
